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SQJA06EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 36.92
25+
CNY 24.62
50+
CNY 18.46
100+
CNY 12.31
250+
CNY 11.69
500+
CNY 11.38
1000+
CNY 11.08
厂商： Vishay
库存件数： 6000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×11.08 = 33240.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：8.7
最大漏极电流Id(on)(A)：57
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8L/-55~175
描述：60V,8.7mΩ,57A,N沟道功率MOSFET
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