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SQJ459EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 30.12
25+
CNY 20.08
50+
CNY 15.06
100+
CNY 10.04
250+
CNY 9.54
500+
CNY 9.29
1000+
CNY 9.04
厂商： Vishay
库存件数： 69000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×9.04 = 27120.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：18
最大漏极电流Id(on)(A)：-52
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~175
描述：18mΩ,-60V,-52A,P 沟道功率 MOSFET
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