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SI2377EDS-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 5.18
25+
CNY 4.14
50+
CNY 3.11
100+
CNY 2.07
250+
CNY 1.97
500+
CNY 1.92
1000+
CNY 1.86
厂商： Vishay
库存件数： 15000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×1.86 = 5580.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：61
最大漏极电流Id(on)(A)：-4.4
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOT-23-3/-55~150
描述：61mΩ，-20V，-4.4A，P沟道功率MOSFET
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