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IRFBE30SPBF
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 78.95
25+
CNY 52.63
50+
CNY 39.48
100+
CNY 26.32
250+
CNY 25.00
500+
CNY 24.34
1000+
CNY 23.69
厂商： Vishay
库存件数： 10000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×23.69 = 23690.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：800
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：3000
最大漏极电流Id(on)(A)：4.1
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：D2PAK-3/-55~150
描述：800V，3Ω，4.1A，N沟道功率MOSFET
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