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样品中心
样品申请说明
1、申请者必须是力源芯城注册会员。
2、每位会员每月最多可申请 5 个型号。
3、样品订单成功通过审核后,5 个工作日内寄出。
4、每月前 50 笔通过审核的订单可享受 EMS 包邮,其后通过审核的订单需申请者配合补足邮费。
厂商
类别
  • 产品型号
  • 类别
  • 厂商
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  • 最大申请量
  • 申请样品
IPW65R110CFD 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,31.2A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPU60R2K1CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 600V,2.3A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPS70R2K0CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 700V,4A,2Ω,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPN60R1K5CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 600V,5A,1.5Ω,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD80R1K4CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,1400mΩ,3.9A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD80R1K0CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD60R800CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 600V,800mΩ,8.4A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD60R460CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 600V,9.1A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD60R1K0CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,6.8A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPD50R500CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 500V,7.6A,500mOhm,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPB042N10N3G 分立半导体器件 Infineon Technologies 100V,100A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA80R650CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,8A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA80R460CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,10.8A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA80R1K4CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,1400mΩ,3.9A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA80R1K0CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 800V,5.7A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA65R650CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,7A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA65R400CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,15.1A,0.4Ω,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA60R800CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,8.4A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA60R650CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 650V,9.9A,N沟道功率MOSFET 5 申请
IPA60R460CE 分立半导体器件 Infineon Technologies 600V,460mΩ,13.1A,N沟道功率MOSFET 5 申请
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